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元件参数资料
>
参数目录42420
> IRF6610TR1 MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
型号:
IRF6610TR1
RoHS:
否
制造商:
International Rectifier
描述:
MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IRF6610TR1 PDF
产品变化通告
(EP) Parts Discontinuation 25/May/2012
产品目录绘图
IR Hexfet Circuit
DirectFET
标准包装
1,000
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
15A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
6.8 毫欧 @ 15A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.55V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
17nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1520pF @ 10V
功率 - 最大
2.2W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
DirectFET? 等容 SQ
供应商设备封装
DIRECTFET? SQ
包装
带卷 (TR)
产品目录页面
1525 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
IRF6610TR1TR
查看IRF6610TR1代理商
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